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PD - 93890
IRFB59N10D
SMPS MOSFET
IRFS59N10D
IRFSL59N10D
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l High frequency DC-DC converters
V DSS
100V
R DS(on) max
0.025 ?
I D
59A
Benefits
l
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
l
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRFB59N10D
D 2 Pak
IRFS59N10D
TO-262
IRFSL59N10D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
59
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T C = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
42
236
3.8
200
1.3
± 30
3.3
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw ?
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf?in (1.1N?m)
°C
Typical SMPS Topologies
l
l
Half-bridge and Full-bridge DC-DC Converters
Full-bridge Inverters
Notes ?
through ? are on page 11
www.irf.com
1
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